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先進(jìn)封裝大戰(zhàn),升級!以下文章來源于半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ,作者L晨光 在摩爾定律減速的同時,計算需求卻在暴漲。隨著云計算、大數(shù)據(jù)、人工智能、自動駕駛等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展,對算力芯片的效能要求越來越高。 多重挑戰(zhàn)和趨勢下,半導(dǎo)體行業(yè)開始探索新的發(fā)展路徑。 其中,先進(jìn)封裝成為一條重要賽道,在提高芯片集成度、縮短芯片距離、加快芯片間電氣連接速度以及性能優(yōu)化的過程中扮演了重要角色。 根據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole數(shù)據(jù)預(yù)測,全球先進(jìn)封裝市場規(guī)模將由2022年的443億美元,增長到2028年的786億美元,年復(fù)合成長率為10.6%。此外,先進(jìn)封裝的市場比重將逐漸超越傳統(tǒng)封裝,成為封測市場貢獻(xiàn)主要增量。 市場潛力之下,這個傳統(tǒng)上屬于OSAT和IDM的領(lǐng)域,如今開始涌入來自不同商業(yè)模式的玩家,包括晶圓代工廠、設(shè)計廠商等紛紛搶灘,積極布局先進(jìn)封裝技術(shù)。 全產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)齊頭涌入,恰恰說明了先進(jìn)封裝技術(shù)的不可或缺。而如今,隨著先進(jìn)封裝技術(shù)不斷創(chuàng)新,市場參與者和商業(yè)模式正在不斷擴(kuò)大和演變,這一領(lǐng)域的競爭變得越來越激烈。 群雄打響先進(jìn)封裝“大戰(zhàn)” 先進(jìn)封裝,臺積電的另一把尖刀 早在10多年前,臺積電就觀察到了摩爾定律失速的前兆,毅然決定投入封裝技術(shù),在2008年底成立了導(dǎo)線與封裝技術(shù)整合部門(IIPD )。 2011年,臺積電技術(shù)專家余振華帶來了第一個產(chǎn)品——CoWoS。 CoWoS(Chip On Wafer On Substrate)是一種2.5D的整合生產(chǎn)技術(shù),由CoW和oS組合而來:先將芯片通過Chip on Wafer(CoW)的封裝制程連接至硅晶圓,再把CoW芯片與基板(Substrate)連接,整合成CoWoS。據(jù)悉,這是蔣尚義在2006年提出的構(gòu)想。 臺積電CoWoS結(jié)構(gòu)示意圖 CoWoS的核心是將不同的芯片堆疊在同一片硅中介層實現(xiàn)多顆芯片互聯(lián)。在硅中介層中,臺積電使用微凸塊(μBmps)、硅穿孔(TSV)等技術(shù),代替?zhèn)鹘y(tǒng)引線鍵合用于裸片間連接,大大提高了互聯(lián)密度以及數(shù)據(jù)傳輸帶寬。 CoWoS技術(shù)實現(xiàn)了提高系統(tǒng)性能、降低功耗、縮小封裝尺寸的目標(biāo),從而也使臺積電在后續(xù)的封裝技術(shù)保持領(lǐng)先。 這也是目前火熱的HBM內(nèi)存、Chiplet等主要的封裝技術(shù)。 據(jù)悉,繼英偉達(dá)10月確定擴(kuò)大下單后,蘋果、AMD、博通、Marvell等重量級客戶近期也對臺積電追加CoWoS訂單。臺積電為應(yīng)對上述五大客戶需求,加快CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能擴(kuò)充腳步,明年月產(chǎn)能將比原訂倍增目標(biāo)再增加約20%,達(dá)3.5萬片——換言之,臺積電明年CoWoS月產(chǎn)能將同比增長120%。 同時,臺積電根據(jù)不同的互連方式,把“CoWoS”封裝技術(shù)分為三種類型:
多年來,CoWoS一直在追求不斷增加硅中介層尺寸,以支持封裝中的處理器和HBM堆棧。臺積電通過長期的技術(shù)積累和大量成功案例,目前CoWoS封裝技術(shù)已迭代到了第5代。 筆者在此前文章《代工巨頭“血拼”先進(jìn)封裝》中提到:雖然CoWoS能夠為芯片成品帶來優(yōu)勢,但受限于成本,在推出的早期只有少數(shù)廠家的高端產(chǎn)品采用,對此,臺積電決定給CoWoS做“減法”,開發(fā)出了廉價版的CoWoS技術(shù),即InFO技術(shù)。 相較于在硅晶圓中間布線做連接的CoWoS技術(shù),InFO封裝把硅中介層換成了polyamide film材料,從而降低了單位成本和封裝高度。這也是InFO技術(shù)在移動應(yīng)用和HPC市場成功的重要原因,為臺積電后來能獨(dú)占蘋果A系列處理器打下了關(guān)鍵基礎(chǔ)。 除了CoWoS和InFO,臺積電還有其他先進(jìn)封裝技術(shù)。 2018年4月,臺積電首度對外界公布了創(chuàng)新的系統(tǒng)整合單芯片(SoIC)多芯片3D堆疊技術(shù)。 SoIC是基于臺積電的CoWoS與多晶圓堆疊(WoW)封裝技術(shù)開發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術(shù),這標(biāo)志著臺積電已具備直接為客戶生產(chǎn)3D IC的能力。 作為業(yè)內(nèi)第一個高密度3D chiplet堆疊技術(shù),SoIC被看作“3D封裝最前沿”技術(shù)。臺積電表示,SoIC能提供創(chuàng)新的前段3D芯片堆疊技術(shù),用于重新集成從SoC劃分的小芯片,最終的集成芯片在系統(tǒng)性能方面優(yōu)于原始SoC,并且它還提供了集成其他系統(tǒng)功能的靈活性。相較2.5D封裝方案,SoIC的凸塊密度更高,傳輸速度更快,功耗更低。 據(jù)業(yè)內(nèi)透露,目前臺積電SoIC技術(shù)剛剛起步,今年底月產(chǎn)能約1900片,預(yù)期明年將超過3000片,增幅近60%;2027年有望拉升到7000片以上,是今年底水平的約3.7倍,年復(fù)合增速近40%。 臺積電激進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)SoIC或與大客戶需求有關(guān)。AMD是臺積電SoIC的首發(fā)客戶,其最新AI芯片產(chǎn)品正處于量產(chǎn)階段,預(yù)計明年上市的MI300芯片將采用SoIC搭配CoWoS,或?qū)⒊蔀榕_積電SoIC的一大“代表作”。 蘋果則將采用SoIC搭配熱塑碳纖板復(fù)合成型技術(shù),目前正小量試產(chǎn),預(yù)計2025-2026年量產(chǎn),擬應(yīng)用在Mac、iPad等產(chǎn)品,制造成本比當(dāng)前方案更具有優(yōu)勢。若未來SoIC順利導(dǎo)入筆電、手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品,有望創(chuàng)造更多需求,并大幅提升其他大客戶的跟進(jìn)意愿。 至于臺積電先進(jìn)封裝另一大客戶英偉達(dá),其目前高階產(chǎn)品主要采用CoWoS封裝技術(shù),但業(yè)界認(rèn)為,未來也將進(jìn)一步導(dǎo)入SoIC技術(shù)。 針對多種先進(jìn)封裝技術(shù)方案,臺積電宣布將其2.5D和3D封裝產(chǎn)品合并為一個全面的品牌3DFabric,該平臺由SoIC、CoWoS和InFO等3D堆疊和2.5D先進(jìn)封裝技術(shù)所組成,進(jìn)一步將制程工藝和封裝技術(shù)深度整合,以加強(qiáng)競爭力。 目前,在先進(jìn)封裝領(lǐng)域,臺積電的領(lǐng)先地位尤其突顯。 在先進(jìn)制程以及先進(jìn)封裝中,臺積電時刻保持“兩手抓”的狀態(tài),以鞏固自身在晶圓制造領(lǐng)域的霸主地位。 英特爾:引領(lǐng)下一代封裝技術(shù) 作為IDM和晶圓代工大廠,英特爾也在積極布局先進(jìn)封裝。 與臺積電類似,英特爾經(jīng)過多年技術(shù)探索,也相繼推出了EMIB、Foveros和Co-EMIB等多種先進(jìn)封裝技術(shù),力圖通過2.5D、3D等異構(gòu)集成形式實現(xiàn)互連帶寬倍增與功耗減半的目標(biāo)。 其中,EMIB是英特爾在2.5D IC上的嘗試,其全稱是“Embedded Multi-Die Interconnect Bridge”。因為沒有引入額外的硅中介層,而是只在兩枚裸片邊緣連接處加入了一條硅橋接層(Silicon Bridge),并重新定制化裸片邊緣的I/O引腳以配合橋接標(biāo)準(zhǔn)。 英特爾EMIB架構(gòu)圖 EMIB是通過非常小的凸點(diǎn)間距提供高互連密度,從而允許芯片之間具有更高帶寬,并且由于走線長度較短,因此比使用有機(jī)基板具有更低的功耗。它類似于微型硅中介層,僅覆蓋小芯片之間需要連接的區(qū)域。 2018年底,英特爾推出了名為“Foveros”的全新3D封裝技術(shù),這是繼EMIB封裝技術(shù)之后,英特爾在先進(jìn)封裝技術(shù)上的又一個突破。 據(jù)介紹,F(xiàn)overos技術(shù)可實現(xiàn)在邏輯芯片上堆疊邏輯芯片,進(jìn)行橫向和縱向之間的互連,凸點(diǎn)間距進(jìn)一步降低為50-25um。Foveros為整合高性能、高密度和低功耗硅工藝技術(shù)的器件和系統(tǒng)鋪平了道路。 英特爾表示,F(xiàn)overos可以將不同工藝、結(jié)構(gòu)、用途的芯片整合到一起,從而將更多的計算電路組裝到單個芯片上,實現(xiàn)高性能、高密度和低功耗。該技術(shù)提供了極大的靈活性,設(shè)計人員可以在新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊、各種存儲芯片、I/O配置,并使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”。 2019年,英特爾再次推出了一項新的封裝技術(shù)Co-EMIB,這是一個將EMIB和Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用,能夠讓兩個或多個Foveros元件互連,并且基本達(dá)到單芯片的性能水準(zhǔn)。設(shè)計人員能夠利用Co-EMIB技術(shù)實現(xiàn)高帶寬和低功耗的連接模擬器、內(nèi)存和其他模塊。 在2020年架構(gòu)日中,英特爾又展示了在3D封裝技術(shù)領(lǐng)域中的新進(jìn)展——“混合鍵合(Hybrid bonding)”技術(shù)。 當(dāng)今大多數(shù)封裝技術(shù)中使用的是傳統(tǒng)的“熱壓鍵合”技術(shù),混合鍵合是這一技術(shù)的替代品。這項新技術(shù)是將具有優(yōu)良電性能的銅和銅直接連接起來,能夠加速實現(xiàn)10微米及以下的凸點(diǎn)間距,提供更高的互連密度、帶寬和更低的功率。 英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)路線圖 筆者此前曾在文章中總結(jié)道,英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展主要關(guān)注互連密度、功率效率和可擴(kuò)展性三個方面。其中,F(xiàn)overos和混合鍵合技術(shù)主要關(guān)注功率效率、互連密度方面,而Co-emib和ODI技術(shù)則體現(xiàn)了集成的可擴(kuò)展性特點(diǎn)。從Foveros到混合鍵合技術(shù),英特爾逐漸實現(xiàn)凸點(diǎn)間距越來越小,使系統(tǒng)擁有更高的電流負(fù)載能力、更好的熱性能。 未來,英特爾還在計劃將傳統(tǒng)基板轉(zhuǎn)為更為先進(jìn)的玻璃材質(zhì)基板,此舉旨在對材料進(jìn)行轉(zhuǎn)換以實現(xiàn)超越現(xiàn)有塑料基板限制的高性能半導(dǎo)體的嘗試。 據(jù)介紹,隨著3D封裝的普及,厚度是一個受關(guān)注的關(guān)鍵因素。減小基板的厚度是提高半導(dǎo)體封裝性能的關(guān)鍵。玻璃載板具有平坦的表面并且可以做得很薄,與ABF塑料相比,其厚度可以減少一半左右,減薄可以提高信號傳輸速度和功率效率。 同時,玻璃基板在熱學(xué)性能、物理穩(wěn)定度方面表現(xiàn)都更出色,更耐熱,因此可以在基板內(nèi)實現(xiàn)更高密度的互聯(lián)。 因此,英特爾有望通過玻璃載板改進(jìn)3D封裝結(jié)構(gòu)。但該技術(shù)目前進(jìn)展較為緩慢,距離真正量產(chǎn)估計還有很長一段時間。 三星:IDM與晶圓代工的雙重優(yōu)勢 除了在存儲器中大量使用堆疊封裝技術(shù)外,三星在高性能計算芯片上也正大力發(fā)展先進(jìn)封裝技術(shù),旨在充分挖掘高性能計算機(jī)、AI、5G、云以及大型數(shù)據(jù)中心市場。 三星分別于2018年、2020年推出了I-Cube(2.5D)、X-Cube(3D)兩種封裝技術(shù)。其中,I-Cube作為異質(zhì)整合技術(shù),可將一個或多個邏輯芯片(如CPU、GPU等)和多個存儲芯片(如HBM)整合連接在中介層頂部。I-Cube封裝技術(shù)可與臺積電CoWoS封裝制程相抗衡,該項技術(shù)已投入使用,標(biāo)志著三星晶圓制造業(yè)務(wù)領(lǐng)域已從移動設(shè)備擴(kuò)展到數(shù)據(jù)中心; X-Cube則是使用TSV技術(shù)在邏輯芯片上堆疊存儲器芯片,最大程度上縮短互連長度,在降低功耗的同時能提高傳輸速率。 2021年,三星還推出了2.5D封裝技術(shù)H-Cube,專門用于高性能計算(HPC)、人工智能(AI)、數(shù)據(jù)中心和網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品等領(lǐng)域。 三星2.5D H-Cube芯片封裝解決方案 據(jù)了解,H-Cube可以整合ABF和HDI兩種不同特點(diǎn)的基板,實現(xiàn)更大的2.5D封裝。隨著HPC、AI和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用等細(xì)分市場的發(fā)展,安裝在同一個封裝中的芯片數(shù)量和尺寸都在增加,且需要高帶寬進(jìn)行互連,這種更大面積的封裝變得更加重要,H-Cube的出現(xiàn)也降低了HPC等市場的準(zhǔn)入門檻。 今年9月,為了追上臺積電AI芯片的先進(jìn)封裝,三星推出名為FO-PLP的2.5D封裝技術(shù)。借由此技術(shù),三星預(yù)計可將SoC和HBM整合到硅中間層上,進(jìn)一步建構(gòu)其成為一個完整的芯片。據(jù)悉,F(xiàn)O-PLP的基板是方形,而臺積電的CoWoS是圓形基板,F(xiàn)O-PLP不會有邊緣基板損耗問題,有較高的生產(chǎn)效率。但由于要將芯片由晶圓移植到方形基板,其作業(yè)較為復(fù)雜。 前不久,三星又宣布將在2024年推出名為"SAINT"(Samsung Advanced Interconnection Technology)的全新3D半導(dǎo)體封裝技術(shù)。 據(jù)悉,最新的封裝技術(shù)SAINT包括SAINT S(垂直堆疊SRAM內(nèi)存和CPU),SAINT D(用于CPU、GPU和內(nèi)存的垂直封裝),SAINT L(用于堆疊應(yīng)用處理器)。這一技術(shù)的引入旨在應(yīng)對生成式AI和終端裝置AI的快速發(fā)展,將成為三星電子在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的重要一步。 此外,三星還計劃在2024年量產(chǎn)可處理比普通凸塊更多數(shù)據(jù)的X-Cube(u-Bump)封裝技術(shù),并預(yù)計2026年推出比X-Cube(u-Bump)處理更多數(shù)據(jù)的無凸塊型封裝技術(shù)。據(jù)悉,三星在2021年還對外宣稱正在開發(fā)“3.5D封裝”技術(shù),目前還未有最新消息。 除了在產(chǎn)品創(chuàng)新上進(jìn)行投入布局外,三星電子去年開始還積極推進(jìn)封裝基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和人才引進(jìn)。2022年12月,三星電子成立了先進(jìn)封裝(AVP)部門,負(fù)責(zé)封裝技術(shù)和產(chǎn)品開發(fā),目標(biāo)是用先進(jìn)的封裝技術(shù)超越半導(dǎo)體的極限。 三星AVP業(yè)務(wù)副總裁暨團(tuán)隊負(fù)責(zé)人Kang Moon-soo指出,三星電子是世界上唯一一家同時從事存儲器、邏輯芯片代工和封裝業(yè)務(wù)的公司。因此,三星將利用這些優(yōu)勢提供具有競爭力的封裝產(chǎn)品,連接高性能存儲器,例如通過異質(zhì)整合技術(shù),并經(jīng)由EUV制造技術(shù)生產(chǎn)最先進(jìn)的邏輯半導(dǎo)體和HBM。 相比臺積電和英特爾,盡管三星電子的先進(jìn)封裝投資稍顯遲緩,但也能看到這兩年在先進(jìn)封裝上的押注也非常大。 SK海力士:將2.5D Fan-out封裝帶進(jìn)內(nèi)存行業(yè) 近日,據(jù)businesskorea報道,SK海力士正準(zhǔn)備推出“2.5D扇出”封裝作為其下一代存儲半導(dǎo)體技術(shù)。 由于今年在高帶寬內(nèi)存(HBM)領(lǐng)域的成功表現(xiàn),SK海力士對下一代芯片技術(shù)領(lǐng)域充滿信心,正在加緊努力通過開發(fā)“專業(yè)”內(nèi)存產(chǎn)品來確保技術(shù)領(lǐng)先地位。 據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,SK海力士正準(zhǔn)備將2.5D Fan-out封裝技術(shù)集成到繼HBM之后的下一代DRAM中。這項新技術(shù)將兩個DRAM芯片水平排列,然后將它們組合起來,就像是一個芯片一樣。一個特征是可以將芯片變得更薄,因為它們下面沒有添加基板。SK海力士預(yù)計最早將于明年公開披露使用這種封裝制造的芯片的研究結(jié)果,新技術(shù)的推出也表明SK海力士正在向能夠匹配寬接口和成本效率的新方法邁進(jìn)。 能看到,SK海力士的嘗試相當(dāng)獨(dú)特,因為2.5D Fan-out封裝此前從未在內(nèi)存行業(yè)嘗試過,該技術(shù)主要應(yīng)用于先進(jìn)系統(tǒng)半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。臺積電于2016年首次將扇出晶圓級封裝(FOWLP)商業(yè)化,用于生產(chǎn)iPhone的應(yīng)用處理器,從而獲得了蘋果的信任。三星電子從今年第四季度開始將這項技術(shù)引入到Galaxy智能手機(jī)的先進(jìn)AP封裝中。SK海力士采用這種新封裝的主要原因之一是為了削減成本,業(yè)界將2.5D扇出封裝視為一種可以跳過TSV工藝的同時,增加I/O接口數(shù)量來降低成本的技術(shù)。業(yè)界推測這種封裝技術(shù)將應(yīng)用于GDDR和其他需要擴(kuò)展信息I/O的產(chǎn)品中。綜合來看,SK海力士利用這項技術(shù)搶占小批量、多樣化的內(nèi)存產(chǎn)品的趨勢的戰(zhàn)略正在變得更加清晰。SK海力士正在鞏固與世界知名GPU公司Nvidia的合作;還有一個例子是,SK海力士為蘋果新AR設(shè)備“Vision Pro”中安裝的“R1”計算單元生產(chǎn)并提供了特殊DRAM。SK海力士總裁Kwak No-jung表示:“在人工智能時代,我們將把存儲半導(dǎo)體創(chuàng)新為針對每個客戶的差異化專業(yè)產(chǎn)品。” AMD:Fabless也在不遺余力 在先進(jìn)封裝技術(shù)研發(fā)方面,沒有芯片工廠的AMD也在不遺余力,特別是在HBM和GPU、CPU封裝方面。 在ISSCC 2023國際固態(tài)電路大會上,AMD提出了多種新的封裝設(shè)想,其中之一是在服務(wù)器CPU模塊內(nèi)部直接堆疊內(nèi)存,而且是多層堆疊。一種方式是將CPU模塊和內(nèi)存模塊并排封裝在硅中介層上;另一種方式是在計算模塊上方直接堆疊內(nèi)存,有點(diǎn)像手機(jī)SoC。 AMD表示,這種設(shè)計可以讓計算核心以更短的距離、更高的帶寬、更低的延遲訪問內(nèi)存,還能降低功耗。如果堆疊內(nèi)存容量足夠大,主板上的DIMM插槽都可以省了。 AMD甚至考慮在Instinct系列GPU已經(jīng)整合封裝HBM的基礎(chǔ)上,繼續(xù)堆疊DRAM,但只有一層,容量不會太大。這樣做的最大好處是一些關(guān)鍵算法可以直接在此DRAM內(nèi)執(zhí)行,不必在CPU和獨(dú)立內(nèi)存之間往復(fù)通信,從而提升性能、降低功耗。 AMD還設(shè)想在2D/2.5D/3D封裝內(nèi)部,集成更多模塊,包括內(nèi)存、統(tǒng)一封裝光網(wǎng)絡(luò)通道物理層、特定域加速器等,并引入高速標(biāo)準(zhǔn)化的芯片間接口通道(UCIe)。 11月21日,美國政府新宣布將投入約30億美元資金,用于芯片先進(jìn)封裝行業(yè)。鑒于美國在全球芯片封裝產(chǎn)能中的占比相對較低,這一舉措旨在提高美國在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的市場份額,補(bǔ)足其半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的短板。 美國商務(wù)部副部長勞里·洛卡西奧在宣布這一投資計劃時表示:“在美國制造芯片,然后把它們運(yùn)到海外進(jìn)行封裝,這會給供應(yīng)鏈帶來風(fēng)險。這項投資計劃將有助于確保美國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上的各個環(huán)節(jié)都具有競爭力! 無論如何,美國大力開拓先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè),也被認(rèn)為是看中了先進(jìn)封裝領(lǐng)域日益增長的機(jī)遇。 此外,聯(lián)電、格芯、中芯國際等晶圓代工企業(yè),以及日月光、國內(nèi)封測三雄(長電科技、通富微電、華天科技)也都看到了先進(jìn)封裝的發(fā)展前景,展開積極布局,聚焦先進(jìn)封裝技術(shù)和解決方案。 寫在最后 后摩爾時代,先進(jìn)封裝正在成為各大廠商的發(fā)力點(diǎn)和必然選擇,不同商業(yè)模式的企業(yè)都在同一個高端封裝市場空間展開競爭。 但不同業(yè)態(tài)的廠商,在封裝業(yè)務(wù)方面投入的資源也有所不同,技術(shù)發(fā)展路線也存在差異。 以Foundry為例,由于2.5D/3D封裝技術(shù)中涉及前道工序的延續(xù),晶圓代工廠對前道制程非常了解,對整體布線的架構(gòu)有更深刻的理解,走的是芯片制造+封裝高度融合的路線。因此,在高密度的先進(jìn)封裝方面,F(xiàn)oundry比傳統(tǒng)OSAT廠更具優(yōu)勢。 這也使得先進(jìn)封裝成為當(dāng)前業(yè)內(nèi)幾大主流半導(dǎo)體晶圓制造廠商重點(diǎn)發(fā)展的技術(shù)。臺積電、英特爾和三星等代工巨頭已成功利用先進(jìn)封裝市場的增長,實現(xiàn)了其技術(shù)壁壘的不斷提升。 而SK海力士,則試圖抓住存儲在AI時代與大算力芯片強(qiáng)結(jié)合的市場紅利,躋身先進(jìn)封裝領(lǐng)域分一杯羹。 總體而言,先進(jìn)封裝的出現(xiàn),讓業(yè)界看到了通過封裝技術(shù)推動芯片高密度集成、性能提升、 體積微型化和成本下降的巨大潛力,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新引擎。 當(dāng)前,新賽道卡位競爭激烈,新老玩家都在奮力搶奪一張通往先進(jìn)封裝時代的“船票”。 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察,作者L晨光 |